Protože mi to připadá zajímavé, resp. roztomilé, dávám to sem vč. svého ručního amatérského překladu.
--------------------------------------------
VLSI by už mohly dosahovat svých limitů.
Podle skupiny odborníků, kteří se setkali na akci "International
Electronic Devices Meeting" v Los Angeles, VLSI čipy možná už naráží na hranice růstu své integrace. Základem VLSI je snaha nacpat na jeden kus křemíku co nejvíc součástek jako jsou tranzistory.
Během posledních dvaceti let se hustota integrace každých pár let zdvojnásobila, což vyústilo ve výkonnější mikroprocesory, paměťové čipy s vyšší velikostí paměti a levnější počítače.
Podle účastníků setkání tento proces nemůže pokračovat dál než jednu, nebo dvě další generace. Kombinace technologických překážek (stojících v cestě další integraci) a rostoucích nákladů vyústí v konec dalších cyklů integrace.
Zvyšováním hustoty integrace dochází ke zmenšování součástek na čipu. Dnešní geometrické rozměry 2000 – 3000nm minimálních vzdáleností mezi prvky přítomnými na čipu jsou už standardem. Mnoho pokročilých čipů je vyráběno 1000mn geometrií a technologie 100nm je ve výzkumu.
Ty integrované prvky (pozn. tranzistory, diody,….) se ale nakonec stanou tak malé, že účinky elektrického proudu tekoucího čipem budou mít tendenci se zastavit. Tento jev se nazývá "electromigration wearout". Dalším problémem je "hot electron wearout", který limituje tloušťku vrstvy oxidu (pozn. jedná se o izolační vrstvu??) pro další zvyšování integrace. Výsledkem bude snižování životnosti a spolehlivosti integrovaných obvodů.
Avšak vysoké náklady dalšího zvyšování integrace VLSI může zvyšování integrace zastavit dříve než toto zvyšování narazí na fyzikální limity. Každá nová generace čipů bude dražší jak z hlediska návrhu, tak i samotné výroby.
Účastníci setkání se shodli, že tento trend se bude jen dál už jen zvýrazňovat.
------------------------------------------------